Der Hochleistungs-Halbleiter-Test stellt Entwickler oft vor Herausforderungen. In unserem aktuellen Whitepaper beschäftigen wir uns mit dem Beispiel eines Drain-Source-Widerstands RDS(on) und zeigen Vor- und Nachteile beim Messen mit Gleichstromquellen und Strom-Pulsquellen.

Der Bedarf an Hochleistungs-Halbleitern wie Dioden, MOSFETs oder IGBTs wird auch in den nächsten Jahren weiter ansteigen. Treiber sind vor allem die regenerativen Energien, die Elektromobilität oder industrielle elektronische Antriebe, die leistungsfähigere Komponenten benötigen. Der Test dieser Komponenten ist für Testingenieure nicht trivial, da Ströme und Spannungen stark angestiegen sind und auch künftig auf einem hohen Niveau bleiben werden.

Für eine effiziente Serienproduktion von Halbleitern erfolgen die Tests in verschiedenen Prozessschritten. Das beginnt von der Ebene des Front-End-Wafers, dem sogenannten Bare-Die, bis zum Back-End. Bei einem Back-End handelt es sich um ein diskretes Bauteil. Schließlich reicht die Produktionskette bis zum Endgerät. Geprüft wird auf eine gleichbleibend hohe Qualität und wie zuverlässig die Bauteile und Geräte sind. Auf der anderen Seite ist es wichtig, ausgefallene Teile schnell zu erkennen. Gute Cost-Down-Ergebnisse lassen sich dann erreichen, wenn die Testspezifikationen in jedem Prozessschritt vollständig abgedeckt sind. Allerdings ist das nicht immer einfach.

Link zum Whitepaper:
 Cost down und System-Vereinfachung 1000A High Current RDS(on) Static Parameter DC-Tests vs. Puls-Tests @ 300μs

Sollten Sie vor der Herausforderung stehen, ein statisches oder dynamisches Testsystem in Ihren Produktionszyklus implementieren zu müssen, helfen wir Ihnen dabei gerne weiter.
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Unser RDS(ON)-Testsystem auf der Electronica mit Tester